Hamımızın bildiyimiz kimi, hədəf material texnologiyasının inkişaf tendensiyası aşağı axın tətbiqi sənayesində film texnologiyasının inkişaf tendensiyası ilə sıx bağlıdır.Tətbiq sənayesində film məhsullarının və ya komponentlərinin texnoloji təkmilləşdirilməsi ilə hədəf texnologiyası da dəyişməlidir.Məsələn, Ic istehsalçıları bu yaxınlarda aşağı müqavimətli mis naqillərin inkişafına diqqət yetirdilər ki, bu da yaxın bir neçə ildə orijinal alüminium filmi əhəmiyyətli dərəcədə əvəz edəcəyi gözlənilir, buna görə də mis hədəflərin və onların tələb olunan maneə hədəflərinin inkişafı təcili olacaqdır.
Bundan əlavə, son illərdə düz panel ekran (FPD) əsasən katod-şüa borusuna (CRT) əsaslanan kompüter ekranı və televiziya bazarını əvəz etdi.O, həmçinin İTO hədəfləri üçün texniki və bazar tələbini xeyli artıracaq.Və sonra saxlama texnologiyası var.Yüksək sıxlıqlı, böyük tutumlu sabit disklərə və yüksək sıxlıqlı silinə bilən disklərə tələbat artmaqda davam edir.Bütün bunlar tətbiq sənayesində hədəf materiallara tələbatın dəyişməsinə səbəb oldu.Aşağıda hədəfin əsas tətbiq sahələrini və bu sahələrdə hədəfin inkişaf tendensiyasını təqdim edəcəyik.
1. Mikroelektronika
Bütün tətbiq sənayelərində yarımkeçiricilər sənayesi hədəf püskürən filmlər üçün ən ciddi keyfiyyət tələblərinə malikdir.İndi 12 düymlük (300 burun burunlu) silikon vaflilər istehsal edilmişdir.Qarşılıqlı əlaqənin eni azalır.Silikon vafli istehsalçılarının hədəf materiallar üçün tələbləri geniş miqyaslı, yüksək təmizlik, aşağı seqreqasiya və incə taxıldır ki, bu da hədəf materialların daha yaxşı mikro quruluşa malik olmasını tələb edir.Kristal hissəciklərin diametri və hədəf materialın vahidliyi filmin çökmə sürətinə təsir edən əsas amillər kimi nəzərə alınmışdır.
Alüminiumla müqayisədə mis daha yüksək elektromobillik müqavimətinə və aşağı müqavimətə malikdir, bu da 0,25um-dan aşağı mikronaltı naqillərdə dirijor texnologiyasının tələblərinə cavab verə bilər, lakin bu, digər problemlər gətirir: mis və üzvi mühit materialları arasında aşağı yapışma gücü.Üstəlik, reaksiya vermək asandır, bu da mis birləşmənin korroziyasına və çipin istifadəsi zamanı dövrənin pozulmasına səbəb olur.Bu problemi həll etmək üçün mis və dielektrik təbəqə arasında bir maneə qatı qoyulmalıdır.
Mis birləşməsinin maneə qatında istifadə olunan hədəf materiallara Ta, W, TaSi, WSi və s. daxildir. Lakin Ta və W odadavamlı metallardır.Hazırlanması nisbətən çətindir və alternativ materiallar kimi molibden və xrom kimi ərintilər öyrənilir.
2. Ekran üçün
Düz panel displey (FPD) illər ərzində katod-şüa borusuna (CRT) əsaslanan kompüter monitoru və televiziya bazarına böyük təsir göstərmişdir və həmçinin ITO hədəf materialları üçün texnologiya və bazar tələbini artıracaqdır.Bu gün iki növ ITO hədəfi var.Biri sinterdən sonra indium oksidi və qalay oksid tozunun nanometr vəziyyətindən istifadə etmək, digəri indium qalay ərintisi hədəfindən istifadə etməkdir.ITO filmi indium-qalay ərintisi hədəfində DC reaktiv püskürtmə ilə hazırlana bilər, lakin hədəf səth oksidləşəcək və püskürtmə sürətinə təsir edəcək və böyük ölçülü ərinti hədəfini əldə etmək çətindir.
Hal-hazırda, birinci üsul ümumiyyətlə maqnetron püskürtmə reaksiyası ilə püskürtmə örtüyü olan ITO hədəf materialını istehsal etmək üçün qəbul edilir.Sürətli çökmə sürətinə malikdir.Filmin qalınlığına dəqiq nəzarət edilə bilər, keçiricilik yüksəkdir, filmin tutarlılığı yaxşıdır və substratın yapışması güclüdür.Ancaq hədəf materialı hazırlamaq çətindir, çünki indium oksidi və qalay oksidi asanlıqla birləşdirilmir.Ümumiyyətlə, sinterləmə əlavələri kimi ZrO2, Bi2O3 və CeO seçilir və nəzəri dəyərin 93% ~ 98% sıxlığı ilə hədəf material əldə edilə bilər.Bu şəkildə formalaşan İTO filminin performansı aşqarlarla böyük əlaqəyə malikdir.
Belə hədəf materialdan istifadə etməklə əldə edilən İTO filminin bloklayıcı müqaviməti 8,1×10n-sm-ə çatır ki, bu da təmiz İTO filminin müqavimətinə yaxındır.FPD və keçirici şüşənin ölçüsü olduqca böyükdür və keçirici şüşənin eni hətta 3133 mm-ə çata bilər.Hədəf materiallarının istifadəsini yaxşılaşdırmaq üçün, silindrik forma kimi müxtəlif formalı İTO hədəf materialları hazırlanır.2000-ci ildə Milli İnkişaf Planlaşdırma Komissiyası və Elm və Texnologiya Nazirliyi İTO-nun böyük hədəflərini hazırda İnkişaf üçün Prioritet Verilən İnformasiya Sənayesinin Əsas Sahələri üzrə Təlimatlara daxil etmişdir.
3. Saxlamadan istifadə
Saxlama texnologiyası baxımından yüksək sıxlıqlı və böyük tutumlu sərt disklərin inkişafı çoxlu sayda nəhəng istəksiz film materialları tələb edir.CoF~Cu çox qatlı kompozit film nəhəng istəksiz filmin geniş istifadə olunan strukturudur.Maqnit disk üçün lazım olan TbFeCo lehimli hədəf materialı hələ də inkişaf mərhələsindədir.TbFeCo ilə istehsal edilən maqnit diski böyük saxlama qabiliyyəti, uzun xidmət müddəti və təkrar təmasda silinmə qabiliyyətinə malikdir.
Antimon germanium tellurid əsaslı faza dəyişdirmə yaddaşı (PCM) əhəmiyyətli kommersiya potensialı göstərdi, NOR flash yaddaşın bir hissəsi oldu və DRAM alternativ saxlama texnologiyasını bazara çıxardı, lakin tətbiqdə daha sürətlə azaldıldıqda mövcud olmaq yolundakı çətinliklərdən biri yenidən qurulmamaqdır. cari istehsal daha da tamamilə möhürlənmiş vahid endirilə bilər.Sıfırlama cərəyanının azaldılması yaddaşın enerji istehlakını azaldır, batareyanın ömrünü uzadır və məlumat ötürmə qabiliyyətini yaxşılaşdırır, bu günün data mərkəzli, yüksək portativ istehlakçı cihazlarının bütün vacib xüsusiyyətləri.
Göndərmə vaxtı: 09 avqust 2022-ci il