Düz panel ekran sənayesində istifadə edilən metal püskürtmə hədəflərinə bazar tələbatı

Nazik film tranzistorlu maye kristal ekran panelləri hazırda əsas düz panel ekran texnologiyasıdır və metal püskürtmə hədəfləri istehsal prosesində ən vacib materiallardan biridir.Hazırda Çində əsas LCD panel istehsal xətlərində istifadə olunan metal püskürtmə hədəflərinə tələb dörd növ hədəf üçün ən yüksəkdir: alüminium, mis, molibden və molibden niobium ərintisi.İcazə verin, düz ekran sənayesində metal püskürtmə hədəfləri üçün bazar tələbini təqdim edim.

1, Alüminium hədəf

Hazırda yerli maye kristal ekran sənayesində istifadə edilən alüminium hədəfləri əsasən Yapon müəssisələri tərəfindən üstünlük təşkil edir.

2, Mis hədəf

Püskürtmə texnologiyasının inkişaf tendensiyası baxımından mis hədəflərə tələbin nisbəti tədricən artmaqdadır.Bundan əlavə, son illərdə yerli maye kristal ekran sənayesinin bazar ölçüsü davamlı olaraq genişlənir.Buna görə də, düz panel ekran sənayesində mis hədəflərə tələb yüksələn bir tendensiya göstərməyə davam edəcəkdir.

3, Geniş diapazonlu molibden hədəfi

Xarici müəssisələr baxımından: Panshi və Shitaike kimi xarici müəssisələr əsasən yerli geniş molibden hədəf bazarını inhisara alır.Yerli istehsal: 2018-ci ilin sonundan etibarən yerli istehsal olan geniş çeşiddə molibden hədəfləri maye kristal ekran panellərinin istehsalında tətbiq edilmişdir.

4、 Molibden niobium 10 ərintisi hədəfi

Molibden niobium 10 ərintisi, nazik film tranzistorlarının diffuziya maneə qatında molibden alüminium molibden üçün mühüm əvəzedici material olaraq, perspektivli bazar tələbi perspektivinə malikdir.Bununla belə, molibden və niobium atomları arasında qarşılıqlı diffuziya əmsalında əhəmiyyətli fərq olduğundan, yüksək temperaturda sinterləmədən sonra niobium hissəcikləri vəziyyətində böyük məsamələr əmələ gələcək və bu, sinterləmə sıxlığının yaxşılaşdırılmasını çətinləşdirəcəkdir.Bundan əlavə, güclü bərk məhlulun möhkəmlənməsi molibden və niobium atomlarının tam diffuziyasından sonra formalaşacaq və onların yuvarlanma qabiliyyətinin pisləşməsinə səbəb olacaqdır.Bununla belə, çoxsaylı eksperimentlərdən və irəliləyişlərdən sonra 2017-ci ildə oksigen miqdarı 1000 × A Mo Nb-dən az olan 99,3% sıxlığı olan bir ərinti hədəfi ilə uğurla istehsal edildi.