Onu DC maqnetron püskürtmə və RF maqnetron püskürtməyə bölmək olar.
DC püskürtmə üsulu hədəfin ion bombardmanı prosesindən əldə edilən müsbət yükü onunla sıx təmasda olan katoda ötürə bilməsini tələb edir və sonra bu üsul yalnız izolyasiya məlumatları üçün uyğun olmayan keçirici məlumatı püskürə bilər, çünki İzolyasiya hədəfini bombardman edərkən səthdəki ion yükü zərərsizləşdirilə bilməz, bu da hədəf səthindəki potensialın artmasına səbəb olacaq və demək olar ki, bütün tətbiq olunan gərginlik hədəfə tətbiq olunur, buna görə də ionların sürətlənməsi və ionlaşma şansı azalır. iki qütb azalacaq və ya hətta ionlaşa bilməyəcək, Davamlı axıdmanın uğursuzluğuna, hətta axıdılmasının kəsilməsinə və püskürtmə kəsilməsinə gətirib çıxarır.Buna görə də, radiotezlik sıçratması (RF) zəif keçiriciliyi olan hədəfləri və ya qeyri-metal hədəfləri izolyasiya etmək üçün istifadə edilməlidir.
Püskürtmə prosesi mürəkkəb səpilmə proseslərini və müxtəlif enerji ötürmə proseslərini əhatə edir: birincisi, hadisə hissəcikləri hədəf atomları ilə elastik şəkildə toqquşur və düşən hissəciklərin kinetik enerjisinin bir hissəsi hədəf atomlara ötürüləcəkdir.Bəzi hədəf atomların kinetik enerjisi ətrafdakı digər atomların yaratdığı potensial maneəni aşır (metallar üçün 5-10ev) və sonra onlar şəbəkədən kənarda atomlar yaratmaq üçün qəfəs qəfəsindən çıxarılır və qonşu atomlarla daha da təkrarlanan toqquşmalar , toqquşma şəlaləsi ilə nəticələndi.Bu toqquşma şəlaləsi hədəfin səthinə çatdıqda, hədəfin səthinə yaxın olan atomların kinetik enerjisi səthin bağlanma enerjisindən (metallar üçün 1-6ev) böyük olarsa, bu atomlar hədəfin səthindən ayrılacaqlar. və vakuuma daxil olun.
Püskürtmə örtüyü, bombalanmış hissəciklərin substratda toplanması üçün hədəfin səthini vakuumda bombalamaq üçün yüklü hissəciklərdən istifadə etmək bacarığıdır.Tipik olaraq, insident ionlarını yaratmaq üçün aşağı təzyiqli inert qaz parıltı axıdılması istifadə olunur.Katod hədəfi örtük materiallarından hazırlanır, substrat anod kimi istifadə olunur, vakuum kamerasına 0,1-10pa arqon və ya digər inert qaz daxil edilir və parıltı boşalması katodun (hədəf) 1-3kv DC mənfi yüksək təsiri altında baş verir. gərginlik və ya 13,56 MHz RF gərginliyi.İonlaşmış arqon ionları hədəfin səthini bombalayır, hədəf atomların sıçramasına və substratda toplanmasına səbəb olur və nazik bir təbəqə əmələ gətirir.Hal-hazırda, əsasən, ikincili püskürtmə, üçüncü və ya dördüncü püskürmə, maqnetron püskürtmə, hədəf püskürtmə, RF püskürtmə, qərəzli püskürtmə, asimmetrik rabitə RF püskürtmə, ion şüası püskürtmə və reaktiv püskürtmə daxil olmaqla bir çox püskürtmə üsulları mövcuddur.
Püskürən atomlar kinetik enerjini onlarla elektron volt enerjili müsbət ionlarla mübadilə etdikdən sonra sıçradıqları üçün püskürən atomlar yüksək enerjiyə malikdir, bu da yığma zamanı atomların dispersiya qabiliyyətini yaxşılaşdırmağa, yığılma tənzimləməsinin incəliyini yaxşılaşdırmağa və hazırlanmış filmin substratla güclü yapışması var.
Püskürtmə zamanı qaz ionlaşdıqdan sonra qaz ionları elektrik sahəsinin təsiri altında katoda bağlı hədəfə, elektronlar isə torpaqlanmış divar boşluğuna və substrata uçur.Bu şəkildə, aşağı gərginlik və aşağı təzyiq altında, ionların sayı azdır və hədəfin püskürtmə gücü azdır;Yüksək gərginlikdə və yüksək təzyiqdə, daha çox ion meydana gələ bilsə də, substrata uçan elektronlar yüksək enerjiyə malikdirlər, bu da substratı qızdırmaq və hətta ikincil püskürməni asanlaşdırır, filmin keyfiyyətinə təsir göstərir.Bundan əlavə, substrata uçma prosesində hədəf atomları və qaz molekulları arasında toqquşma ehtimalı da çox artır.Buna görə də, bütün boşluğa səpələnəcək, bu, yalnız hədəfi israf etməyəcək, həm də çox qatlı filmlərin hazırlanması zamanı hər bir təbəqəni çirkləndirəcəkdir.
Yuxarıda göstərilən çatışmazlıqları həll etmək üçün 1970-ci illərdə DC maqnetron püskürtmə texnologiyası hazırlanmışdır.O, aşağı katod püskürtmə sürətinin çatışmazlıqlarını və elektronların səbəb olduğu substrat temperaturunun artımını effektiv şəkildə aradan qaldırır.Buna görə də sürətlə inkişaf etdirildi və geniş istifadə edildi.
Prinsip belədir: maqnetron sıçrayışında, hərəkət edən elektronlar maqnit sahəsində Lorentz qüvvəsinə məruz qaldıqları üçün onların hərəkət orbiti əyri və ya hətta spiral hərəkət olacaq və onların hərəkət yolu daha uzun olacaq.Buna görə də, işləyən qaz molekulları ilə toqquşmaların sayı artır, beləliklə plazma sıxlığı artır və sonra maqnetron püskürtmə dərəcəsi çox yaxşılaşdırılır və film çirklənməsinin meylini azaltmaq üçün daha aşağı püskürtmə gərginliyi və təzyiqi altında işləyə bilər;Digər tərəfdən, o, həm də substratın səthinə düşən atomların enerjisini yaxşılaşdırır, beləliklə, filmin keyfiyyəti böyük ölçüdə yaxşılaşdırıla bilər.Eyni zamanda, birdən çox toqquşma nəticəsində enerjisini itirən elektronlar anoda çatdıqda, onlar aşağı enerjili elektronlara çevrilirlər və sonra substrat həddindən artıq istiləşməyəcəkdir.Buna görə də, maqnetron püskürtmə "yüksək sürət" və "aşağı temperatur" üstünlüklərinə malikdir.Bu metodun dezavantajı odur ki, izolyator filmi hazırlana bilməz və maqnetron elektrodunda istifadə olunan qeyri-bərabər maqnit sahəsi hədəfin açıq-aydın qeyri-bərabər aşınmasına səbəb olacaq, nəticədə hədəfin aşağı istifadə dərəcəsi, ümumiyyətlə, cəmi 20% - 30 təşkil edir. %.
Göndərmə vaxtı: 16 may 2022-ci il