Kaplanmış hədəfdəki nazik film xüsusi bir material formasıdır.Qalınlığın xüsusi istiqamətində miqyası çox kiçikdir, bu mikroskopik ölçülə bilən kəmiyyətdir.Bundan əlavə, filmin qalınlığının görünüşü və interfeysi səbəbindən materialın davamlılığı sona çatır, bu da film məlumatlarını və hədəf məlumatlarını fərqli ümumi xüsusiyyətlərə malikdir. Və hədəf əsasən maqnetron püskürtmə örtüyünün istifadəsidir, Pekin Richmatın redaktoru bizi başa düşməyə aparacaq. püskürtmə örtüyünün prinsipi və bacarıqları.
一、Püskürtmə örtüyü prinsipi
Püskürtmə örtmə bacarığı ion atəşi hədəf görünüşünü istifadə etməkdir, hədəf atomları püskürtmə kimi tanınan fenomendən vurur.Substratın səthində çökən atomlara püskürən örtük deyilir. Ümumiyyətlə, qazın ionlaşması qazın boşaldılması ilə əmələ gəlir və müsbət ionlar elektrik sahəsinin təsiri altında katod hədəfini yüksək sürətlə vuraraq, atomları və ya molekulları vururlar. katod hədəfi və bir filmə salınacaq substratın səthinə uçur. Sadəcə desək, püskürən örtük ionları yaratmaq üçün aşağı təzyiqli inert qaz parıltı boşalmasından istifadə edir.
Ümumiyyətlə, püskürən film örtük avadanlığı vakuum boşalma kamerasında iki elektrodla təchiz edilmişdir və katod hədəfi örtük məlumatlarından ibarətdir.Vakuum kamerası 0,1~10Pa təzyiqli arqon qazı ilə doldurulur.Parıltı boşalması katodda mənfi yüksək gərginlikli 1~3kV DC və ya 13.56mhz rf gərginliyinin təsiri altında baş verir. Arqon ionları hədəf səthini bombalayır və püskürən hədəf atomlarının substratda toplanmasına səbəb olur.
二、Sputtering örtük bacarıqlarının xüsusiyyətləri
1, Sürətli yığma sürəti
Yüksək sürətli maqnetron püskürtmə elektrodu ilə ənənəvi iki mərhələli püskürtmə elektrodu arasındakı fərq ondan ibarətdir ki, maqnit hədəfin altında yerləşir, buna görə də qapalı qeyri-bərabər maqnit sahəsi hədəfin səthində baş verir。Elektronların üzərindəki lorentz qüvvəsi mərkəzə doğrudur. heterojen maqnit sahəsi.Fokuslama effektinə görə elektronlar daha az qaçır.Heterojen maqnit sahəsi hədəf səthin ətrafında dolaşır və heterogen maqnit sahəsində tutulan ikincil elektronlar qaz molekulları ilə dəfələrlə toqquşur, bu da qaz molekullarının yüksək çevrilmə sürətini yaxşılaşdırır. Buna görə də, yüksək sürətli maqnitron püskürməsi aşağı güc sərf edir, lakin ideal boşalma xüsusiyyətləri ilə böyük bir örtük səmərəliliyi əldə edə bilər.
2, Substratın temperaturu aşağıdır
Yüksək sürətli maqnetron püskürtmə, aşağı temperaturda püskürmə kimi də tanınır.Səbəb cihazın bir-birinə düz olan elektromaqnit sahələrinin boşluqlarında boşalmalardan istifadə etməsidir.Hədəfin kənarında, bir-birində meydana gələn ikincil elektronlar.Düz elektromaqnit sahəsinin təsiri altında hədəfin səthinə yaxın bağlanır və dairəvi yuvarlanma xəttində uçuş-enmə zolağı boyunca hərəkət edir, qaz molekullarını ionlaşdırmaq üçün dəfələrlə qaz molekullarını döyür. Substratın yaxınlığında hədəfin səthindən qaça bilməyənə qədər enerjiləri demək olar ki, tamamilə itirilənə qədər təkrarlanan zərbələr.Elektronların enerjisi çox aşağı olduğu üçün hədəfin temperaturu çox da yüksəlmir.Bu, kriogenləşməni tamamlayan adi bir diod atışının yüksək enerjili elektron bombardmanı nəticəsində yaranan substrat temperaturunun yüksəlməsinə qarşı çıxmaq üçün kifayətdir.
3、Membran strukturlarının geniş çeşidi
Vakuumda buxarlanma və enjeksiyonla çökdürmə yolu ilə əldə edilən nazik təbəqələrin quruluşu, kütləvi bərk maddələrin incəlməsi ilə əldə ediləndən tamamilə fərqlidir.Üç ölçüdə mahiyyətcə eyni struktur kimi təsnif edilən ümumi mövcud bərk cisimlərdən fərqli olaraq, qaz fazasında çökən plyonkalar heterojen strukturlar kimi təsnif edilir. Nazik təbəqələr sütunvarıdır və skan edən elektron mikroskopiya ilə tədqiq edilə bilər.Filmin sütunlu böyüməsi, substratın orijinal qabarıq səthi və substratın görkəmli hissələrində bir neçə kölgədən qaynaqlanır.Bununla belə, sütunun forması və ölçüsü substratın temperaturu, yığılmış atomların səth dispersiyası, çirkli atomların basdırılması və substratın səthinə nisbətən hadisə atomlarının hadisə bucağı səbəbindən tamamilə fərqlidir.Həddindən artıq temperatur diapazonunda nazik təbəqə lifli bir quruluşa, yüksək sıxlığa malikdir, incə sütunlu kristallardan ibarətdir ki, bu da püskürən filmin unikal quruluşudur.
Püskürtmə təzyiqi və filmin yığılma sürəti də filmin strukturuna təsir göstərir.Qaz molekulları substratın səthində atomların dispersiyasını boğmaq təsirinə malik olduğundan, yüksək püskürtmə təzyiqinin təsiri modeldə substratın temperaturunun düşməsi üçün uyğundur.Buna görə də, yüksək püskürtmə təzyiqində incə dənələri olan məsaməli filmlər əldə edilə bilər.Bu kiçik taxıl ölçülü film yağlama, aşınma müqaviməti, səthi sərtləşdirmə və digər mexaniki tətbiqlər üçün uyğundur.
4、Tərkibi bərabər şəkildə təşkil edin
Komponentlərin buxar təzyiqləri fərqli olduğu və ya qızdırıldıqda fərqləndiyi üçün vakuum buxarlanması ilə örtülməsi çətin olan birləşmələr, qarışıqlar, ərintilər və s.. substrata, bu mənada daha mükəmməl bir film etmə bacarığıdır.Sənaye örtük istehsalında hər növ materiallar püskürtmə üsulu ilə istifadə edilə bilər.
Göndərmə vaxtı: 29 aprel 2022-ci il