Polisilikon mühüm püskürtmə hədəf materialdır.SiO2 və digər nazik filmləri hazırlamaq üçün maqnetron püskürtmə üsulundan istifadə edərək, matris materialını daha yaxşı optik, dielektrik və korroziyaya qarşı müqavimət göstərə bilər ki, bu da sensor ekran, optik və digər sənayelərdə geniş istifadə olunur.
Uzun kristalların tökülməsi prosesi külçə sobasının isti sahəsində qızdırıcının temperaturunu və istilik izolyasiya materialının istilik yayılmasını dəqiq idarə edərək, maye silisiumun aşağıdan yuxarıya doğru istiqamətli bərkiməsini tədricən həyata keçirməkdən ibarətdir. bərkimə uzun kristallarının sürəti 0,8 ~ 1,2 sm/saatdır.Eyni zamanda, istiqamətli bərkimə prosesində silikon materiallarda metal elementlərin seqreqasiya təsiri həyata keçirilə bilər, metal elementlərin əksəriyyəti təmizlənə bilər və vahid polikristal silisium taxıl quruluşu yarana bilər.
Silisium ərintilərində qəbuledici çirklərin konsentrasiyasını dəyişdirmək üçün tökmə polisilikonu da istehsal prosesində qəsdən aşqarlanmalıdır.Sənayedə p-tipli tökmə polisilikonun əsas əlavəsi, borun tərkibi təxminən 0,025% olan silikon bor əsas ərintidir.Dopinq miqdarı silikon vaflinin hədəf müqaviməti ilə müəyyən edilir.Optimal müqavimət 0,02 ~ 0,05 Ω • sm, müvafiq bor konsentrasiyası isə təqribən 2 × 1014 sm-3。 Bununla belə, borun silisiumdakı seqreqasiya əmsalı 0,8-dir ki, bu da istiqamətli bərkimə prosesində müəyyən seqreqasiya effekti göstərəcək. yəni, bor elementi külçənin şaquli istiqamətində qradiyentlə paylanır və müqavimət külçənin aşağısından yuxarısına doğru tədricən azalır.
Göndərmə vaxtı: 26 iyul 2022-ci il