Magnetron püskürtmə örtüyü, əvvəlki buxarlanma ilə örtülmə üsulu ilə müqayisədə yeni fiziki buxar örtük üsuludur, bir çox aspektlərdə onun üstünlükləri olduqca diqqətəlayiqdir.Yetkin bir texnologiya olaraq, maqnetron püskürtmə bir çox sahələrdə tətbiq edilmişdir.
Maqnetron püskürtmə prinsipi:
Püskürən hədəf qütbü (katod) və anod arasında ortoqonal maqnit sahəsi və elektrik sahəsi əlavə edilir və tələb olunan inert qaz (adətən Ar qazı) yüksək vakuum kamerasına doldurulur.Daimi maqnit hədəf materialın səthində 250-350 qaus maqnit sahəsi əmələ gətirir və ortoqonal elektromaqnit sahəsi yüksək gərginlikli elektrik sahəsindən ibarətdir.Elektrik sahəsinin təsiri altında, Ar qazının müsbət ionlara və elektronlara ionlaşması, hədəf və müəyyən mənfi təzyiqə malik olan, maqnit sahəsinin təsiri ilə qütbdən gələn hədəfdən və işləyən qazın ionlaşma ehtimalının artması, yaxınlığında yüksək sıxlıqlı plazma əmələ gətirir. katod, Ar ionu lorentz qüvvəsinin təsiri altında, hədəf səthinə uçmaq üçün sürətlənir, hədəf səthini yüksək sürətlə bombalayır, Hədəfdə püskürən atomlar impuls çevrilmə prinsipinə əməl edir və yüksək kinetik ilə hədəf səthindən uzaqlaşır. substratın çökmə filminə enerji.
Maqnetron püskürməsi ümumiyyətlə iki növə bölünür: DC püskürtmə və RF püskürtmə.DC püskürtmə avadanlığının prinsipi sadədir və metal püskürən zaman sürət tezdir.RF püskürtmənin istifadəsi keçirici materialların püskürtülməsi ilə yanaşı, həm də qeyri-keçirici materialların püskürtülməsi ilə yanaşı, oksidlərin, nitridlərin və karbidlərin və digər mürəkkəb materialların reaktiv püskürtmə hazırlanmasında daha genişdir.RF tezliyi artarsa, o, mikrodalğalı plazma sıçramasına çevrilir.Hal-hazırda elektron siklotron rezonansı (ECR) tipli mikrodalğalı plazma püskürtmə üsulundan geniş istifadə olunur.
Maqnetron püskürən örtük hədəf materialı:
Metal püskürtmə hədəf materialı, örtük ərintisi püskürtmə örtük materialı, keramika püskürtmə örtük materialı, borid keramika püskürtmə hədəf materialı, karbid keramika püskürtmə hədəf materialı, ftorid keramika püskürtmə hədəf materialı, nitrid keramika püskürtmə hədəf materialı, oksid keramika hədəfi, selenid püskürən keramika hədəfi, silisid keramika püskürtmə hədəfi materialları, sulfid keramika püskürtmə hədəfi, Tellurid keramika püskürtmə hədəfi, digər keramika hədəfi, xromlu silikon oksid keramika hədəfi (CR-SiO), indium fosfid hədəfi (InP), qurğuşun arsenid hədəfi (PbAs), indium arsenid hədəf (InAs).
Göndərmə vaxtı: 03 avqust 2022-ci il